2024年天津大学813半导体物理与器件考研大纲公布！

       2024年天津大学半导体物理与器件考研大纲已公布！813半导体物理与器件考研大纲内容包括考试的总体要求、考试内容及比例、试卷类型及比例、参考教材等。小编为大家整理出半导体物理与器件考研大纲，感兴趣的同学们千万不要错过！

　　一、考试的总体要求
　　本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、二极管/双极型晶体管/场效应晶体管等器件的基本原理和应用。
　　二、考试的内容及比例
　　（一）考试内容要点：
　　第一部分：（50%）
　　1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
　　2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
　　3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系；
　　4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
　　5、p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
　　6、金属与半导体接触特点及其能带图，金属半导体接触整流理论，欧姆接触；
　　7、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性；
　　第二部分：（50%）
　　1、双极晶体管的基本结构，工作原理，少子分布，低频电流增益和非理想效应；
　　2、双极晶体管的等效电路模型，频率特性和开关特性；
　　3、MOSFET的基本结构，工作原理，关键参数，电流电压关系，击穿特性；
　　4、MOSFET的小信号模型和频率特性；
　　5、MOSFET的非理想效应；
　　6、结型场效应晶体管的结构和基本工作原理；
　　7、光器件与功率器件的原理、特点与应用。
　　（二）比例：
　　两部分考试内容各占50%。
　　三、试卷题型及比例
　　1、填空与问答题：80%
　　2、计算与推导题：20%
　　四、考试形式及时间
　　考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。
　　五、参考书目
　　半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
　　半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。
　　晶体管原理与设计，陈星弼张庆中等，电子工业出版社。
　　以上内容来源网络，仅供参考！
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