一、考试要求
要求考生对半导体物理学的基本概念有深入的理解,系统掌握半导体物理学中基本定理和定律,并具有综合运用所学知识分析和解决问题的能力。
二、考试内容
1.晶体结构(金刚石、闪锌矿、纤锌矿结构)和半导体的结合性质;
2.半导体中电子状态:Ge、Si、GaAs能带结构,半导体有效质量、空穴、杂质能级;回旋共振;
3.半导体中的杂质和缺陷,杂质的补偿作用与应用,深能级杂质和浅能级杂质;
4.热平衡状态下半导体载流子的统计分布:状态密度,费米能级,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;
5.半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射的概念,半导体电导率随温度、杂质浓度的变化,强电场效应、热载流子,负阻效应;
6.非平衡载流子:非平衡载流子的注入与复合、寿命、准费米能级,爱因斯坦关系等概念,复合理论,陷阱效应和连续性方程;
7.p-n结:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,p-n结理想和非理想I-V特性,p-n结电容与击穿机制,p-n结隧道效应。
三、考试形式
考试形式均为笔试、闭卷。
参考书目:《半导体物理学》(第七版)刘恩科,电子工业出版社
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