西安电子科技大学801半导体物理考研大纲一览！

       有意向报考西安电子科技大学的同学们都清楚801半导体物理考研复习大纲吗？只有了解考试大纲，才能制定更精准的考研复习计划，提炼学科的重点考试范围，下面是小编为大家整理的半导体物理考研复习大纲，还不清楚如何备考的考生们快来看看吧！

　　一、考试要点
　　（一）半导体晶体结构和缺陷
　　半导体的分类及其特点，半导体的性质及导电能力对外界因素的依赖性，半导体化学键的性质和半导体的晶体结构，金刚石与闪锌矿结构的特点及其各向异性。
　　（二）半导体中的电子状态
　　半导体中电子状态与能带，半导体中的电子运动与有效质量，空穴，回旋共振原理与作用，Si的回旋共振实验结果，常用元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
　　（三）半导体中杂志和缺陷能级
　　半导体中的杂质和缺陷，元素半导体中的杂质和缺陷能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
　　Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级
　　等电子杂质与等电子陷阱
　　半导体中的缺陷与位错能级
　　（四）半导体中载流子的统计分布
　　状态密度，分布函数、Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体
　　（五）半导体的导电性
　　载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子
　　（六）非平衡载流子
　　非平衡状态，非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程
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