目前天津理工大学集成电路科学与工程学院暂未公布半导体物理考研大纲，为了帮助考生们备考，小编为大家整理出23年天津理工大学821半导体物理考研大纲信息，有意向报考天津理工大学的同学们快来看看吧！希望能为大家备考提供参考。
天津理工大学821半导体物理考研大纲公布
　　一、考试方式
　　考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。
　　二、试卷结构与分数比重
　　试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中：名词解释占20%，简答题占30%，证明题占10%，计算题占10%，论述题占30%。
　　三、考查的知识范围
　　1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
　　2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。
　　3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。
　　4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。
　　5．PN结（15％）：PN结及其能带图，PN结电流电压特性。
　　6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注入，欧姆接触。
　　7．半导体表面与MIS结构（15％）：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO2系统的性质，表面电导。
　　四、参考书目
　　《半导体物理学》（第7版），刘恩科主编，电子工业出版社
　　以上内容来源网络，仅供参考！
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