2024大连理工大学考研805半导体物理考试大纲整理！

　　一、参考书
　　1、《半导体物理》（第七版）刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社，ISBN：978-7-121-06366-4；
　　2、《固体物理学》黄昆原著，韩汝琦改编，高等教育出版社，ISBN：9787040010251。
　　二、考试大纲
　　1、晶体结构周期性、对称性、布拉伐格子、倒格子、晶向及其标志、晶面及其标志、常见晶体的晶体结构。
　　2、固体结合力的一般性质、离子性结合、共价键结合、金属性结合、范德瓦尔斯结合
　　3、一维单原子链振动、一维双原子链振动、玻恩/卡门边界条件、布里渊区、格波、声子概念、晶格中的缺陷和杂质。
　　4、布洛赫定理、布里渊区、近自由电子近似、紧束缚近似、晶体能带对称性、能态密度、费米面、价带、导带、禁带、载流子。
　　5、晶体中电子在外力作用下状态的变化、准动量、加速度和有效质量
　　6、恒定电场、磁场作用下，晶体中电子的运动。
　　7、导体、绝缘体和半导体的能带理论解释。
　　8、费米统计、费米分布函数、功函数、接触电势。
　　9、半导体的基本能带结构、带边有效质量、杂质、杂质能级、杂质补偿效应和自补偿效应。
　　10、半导体中载流子的状态密度、导带电子密度、价带空穴密度、本征半导体、杂质半导体和简并半导体。
　　11、半导体中的载流子散射、电导现象和霍耳效应。
　　12、半导体中非平衡载流子的产生和复合、载流子的连续性方程、非平衡载流子的连续性方程、非平衡载流子的扩散与漂移。
　　13、半导体中金属/半导体接触的整流现象、pn结及其整流现象、异质结。
　　半导体表面态与表面空间电荷区、表面场效应现象和MIS结构、MOS的电容/电压特性、金属和半导体功函数差及氧化物中电荷对MOS电容/电压特性影响。
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